IPD068P03L3G ny original elektroniska komponenter IC-chip MCU BOM-tjänst i lager IPD068P03L3G
Produktattribut
| TYP | BESKRIVNING |
| Kategori | Diskreta halvledarprodukter |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Serier | OptiMOS™ |
| Paket | Tape & Reel (TR) Klipptejp (CT) Digi-Reel® |
| Produktstatus | Aktiva |
| FET typ | P-kanal |
| Teknologi | MOSFET (metalloxid) |
| Dränera till källspänning (Vdss) | 30 V |
| Ström – Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Drivspänning (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6,8 mOhm @ 70A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 150 µA |
| Grindladdning (Qg) (Max) @ Vgs | 91 nC @ 10 V |
| Vgs (max) | ±20V |
| Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds | 7720 pF vid 15 V |
| FET-funktion | - |
| Effektförlust (max) | 100W (Tc) |
| Driftstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Monteringstyp | Ytmontering |
| Leverantörsenhetspaket | PG-TO252-3 |
| Paket/fodral | TO-252-3, DPak (2 avledningar + Tab), SC-63 |
| Basproduktnummer | IPD068 |
Dokument och media
| RESURSTYP | LÄNK |
| Datablad | IPD068P03L3 G |
| Andra relaterade dokument | Artikelnummerguide |
| Utvald produkt | Databehandlingssystem |
| HTML-datablad | IPD068P03L3 G |
| EDA-modeller | IPD068P03L3GATMA1 av Ultra Librarian |
Miljö- och exportklassificeringar
| ATTRIBUT | BESKRIVNING |
| RoHS-status | ROHS3-kompatibel |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Obegränsat) |
| REACH-status | REACH Opåverkad |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Ytterligare resurser
| ATTRIBUT | BESKRIVNING |
| Andra namn | IPD068P03L3GATMA1DKR IPD068P03L3GATMA1-ND SP001127838 IPD068P03L3GATMA1CT IPD068P03L3GATMA1TR |
| Standardpaket | 2 500 |
Transistor
En transistor är enhalvledaranordningbrukadeförstärkaellerväxlaelektriska signaler ochkraft.Transistorn är en av de grundläggande byggstenarna i modernelektronik.[1]Den är sammansatt avhalvledarmaterial, vanligtvis med minst treterminalerför anslutning till en elektronisk krets.ASpänningellernuvarandeapplicerad på ett par av transistorns terminaler styr strömmen genom ett annat par av terminaler.Eftersom den styrda (utgångs)effekten kan vara högre än den styrande (ingångs)effekten, kan en transistor förstärka en signal.Vissa transistorer är förpackade individuellt, men många fler finns inbäddade iintegrerade kretsar.
österrikisk-ungerska fysiker Julius Edgar Lilienfeldföreslagit begreppet enfälteffekttransistor1926, men det var inte möjligt att faktiskt konstruera en fungerande anordning vid den tiden.[2]Den första fungerande enheten som byggdes var enpunktkontakttransistoruppfanns 1947 av amerikanska fysikerJohn BardeenochWalter Brattainmedan du arbetar underWilliam ShockleypåBell Labs.De tre delade 1956Nobelpriset i fysikför deras prestation.[3]Den mest använda typen av transistor ärmetall–oxid–halvledarfälteffekttransistor(MOSFET), som uppfanns avMohamed AtallaochDawon Kahngpå Bell Labs 1959.[4][5][6]Transistorer revolutionerade elektronikområdet och banade väg för mindre och billigareradioapparater,miniräknare, ochdatorer, bland annat.
De flesta transistorer är gjorda av mycket renkisel, och några frångermanium, men vissa andra halvledarmaterial används ibland.En transistor kan ha bara en typ av laddningsbärare, i en fälteffekttransistor, eller kan ha två typer av laddningsbärare ibipolär övergångstransistorenheter.Jämfört meddammsugarslang, transistorer är i allmänhet mindre och kräver mindre effekt för att fungera.Vissa vakuumrör har fördelar jämfört med transistorer vid mycket höga driftsfrekvenser eller höga driftsspänningar.Många typer av transistorer tillverkas enligt standardiserade specifikationer av flera tillverkare.
