order_bg

Produkter

Original Nytt I lager MOSFET transistordiodtyristor SOT-223 BSP125H6327 IC-chip elektronisk komponent

kort beskrivning:


Produktdetalj

Produkttaggar

Produktattribut

TYP BESKRIVNING
Kategori Diskreta halvledarprodukter

Transistorer – FET, MOSFET – Singel

Mfr Infineon Technologies
Serier SIPMOS®
Paket Tape & Reel (TR)

Klipptejp (CT)

Digi-Reel®

Produktstatus Aktiva
FET typ N-kanal
Teknologi MOSFET (metalloxid)
Dränera till källspänning (Vdss) 600 V
Ström – Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C 120mA (Ta)
Drivspänning (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 Ohm @ 120mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2,3V @ 94µA
Grindladdning (Qg) (Max) @ Vgs 6,6 nC @ 10 V
Vgs (max) ±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF vid 25 V
FET-funktion -
Effektförlust (max) 1,8 W (Ta)
Driftstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp Ytmontering
Leverantörsenhetspaket PG-SOT223-4
Paket/fodral TO-261-4, TO-261AA
Basproduktnummer BSP125

Rapportera produktinformationsfel

Visa liknande

Dokument och media

RESURSTYP LÄNK
Datablad BSP125
Andra relaterade dokument Artikelnummerguide
Utvald produkt Databehandlingssystem
HTML-datablad BSP125
Simuleringsmodeller MOSFET OptiMOS™ 240V, 400V, 600V och 800V N-Channel Spice Model

Miljö- och exportklassificeringar

ATTRIBUT BESKRIVNING
RoHS-status ROHS3-kompatibel
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Obegränsat)
REACH-status REACH Opåverkad
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Ytterligare resurser

ATTRIBUT BESKRIVNING
Andra namn SP001058576

BSP125H6327XTSA1TR

BSP125H6327XTSA1CT

BSP125H6327XTSA1DKR

Standardpaket 1 000

En transistor är en halvledarenhet som vanligtvis används i förstärkare eller elektroniskt styrda omkopplare.Transistorer är de grundläggande byggstenarna som reglerar driften av datorer, mobiltelefoner och alla andra moderna elektroniska kretsar.

På grund av deras snabba svarshastighet och höga noggrannhet kan transistorer användas för en mängd olika digitala och analoga funktioner, inklusive förstärkning, omkoppling, spänningsregulator, signalmodulering och oscillator.Transistorer kan förpackas individuellt eller i ett mycket litet område som kan rymma 100 miljoner eller fler transistorer som en del av en integrerad krets.

Jämfört med elektronröret har transistorn många fördelar:

Komponent har ingen förbrukning

Oavsett hur bra röret är kommer det gradvis att försämras på grund av förändringar i katodatomer och kroniskt luftläckage.Av tekniska skäl hade transistorer samma problem när de först tillverkades.Med framsteg i material och förbättringar i många aspekter håller transistorer vanligtvis 100 till 1 000 gånger längre än elektroniska rör.

Förbrukar väldigt lite ström

Det är bara en tiondel eller tiotals av ett av elektronröret.Det behöver inte värma glödtråden för att producera fria elektroner som elektronröret.En transistorradio behöver bara några torra batterier för att lyssna ett halvår om året, vilket är svårt att göra för rörradio.

Inget behov av att förvärma

Arbeta så fort du slår på den.Till exempel slocknar en transistorradio så fort den slås på, och en transistor-tv ställer upp en bild så fort den slås på.Vakuumrörsutrustning kan inte göra det.Efter uppstarten, vänta ett tag för att höra ljudet, se bilden.Uppenbarligen är transistorer mycket fördelaktiga inom militär, mätning, inspelning etc.

Stark och pålitlig

100 gånger mer tillförlitlig än elektronröret, stötmotstånd, vibrationsmotstånd, vilket är ojämförligt med elektronröret.Dessutom är storleken på transistorn bara en tiondel till en hundradel av storleken på elektronröret, mycket lite värmeavgivning, kan användas för att designa små, komplexa, pålitliga kretsar.Även om tillverkningsprocessen för transistorn är exakt, är processen enkel, vilket bidrar till att förbättra installationstätheten för komponenter.


  • Tidigare:
  • Nästa:

  • Skriv ditt meddelande här och skicka det till oss