Merrill chip Nytt & Original i lager elektroniska komponenter integrerad krets IC IRFB4110PBF
Produktattribut
| TYP | BESKRIVNING |
| Kategori | Diskreta halvledarprodukter |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Serier | HEXFET® |
| Paket | Rör |
| Produktstatus | Aktiva |
| FET typ | N-kanal |
| Teknologi | MOSFET (metalloxid) |
| Dränera till källspänning (Vdss) | 100 V |
| Ström – Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drivspänning (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4,5 mOhm @ 75A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Grindladdning (Qg) (Max) @ Vgs | 210 nC @ 10 V |
| Vgs (max) | ±20V |
| Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds | 9620 pF vid 50 V |
| FET-funktion | - |
| Effektförlust (max) | 370W (Tc) |
| Driftstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Monteringstyp | Genom hål |
| Leverantörsenhetspaket | TO-220AB |
| Paket/fodral | TO-220-3 |
| Basproduktnummer | IRFB4110 |
Dokument och media
| RESURSTYP | LÄNK |
| Datablad | IRFB4110PbF |
| Andra relaterade dokument | IR Part Numbering System |
| Produktutbildningsmoduler | Högspänningsintegrerade kretsar (HVIC Gate-drivrutiner) |
| Utvald produkt | Robotics and Automated Guid Vehicles (AGV) |
| HTML-datablad | IRFB4110PbF |
| EDA-modeller | IRFB4110PBF från SnapEDA |
| Simuleringsmodeller | IRFB4110PBF Sabre modell |
Miljö- och exportklassificeringar
| ATTRIBUT | BESKRIVNING |
| RoHS-status | ROHS3-kompatibel |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Obegränsat) |
| REACH-status | REACH Opåverkad |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Ytterligare resurser
| ATTRIBUT | BESKRIVNING |
| Andra namn | 64-0076PBF-ND 64-0076PBF SP001570598 |
| Standardpaket | 50 |
Strong IRFET™ power MOSFET-familjen är optimerad för låg RDS(on) och hög strömkapacitet.Enheterna är idealiska för lågfrekventa applikationer som kräver prestanda och robusthet.Den omfattande portföljen vänder sig till ett brett utbud av applikationer inklusive DC-motorer, batterihanteringssystem, växelriktare och DC-DC-omvandlare.
Sammanfattning av funktioner
Branschstandard genomgående kraftpaket
Högströmsklassning
Produktkvalificering enligt JEDEC-standard
Kisel optimerat för applikationer som växlar under <100 kHz
Mjukare kroppsdiod jämfört med tidigare silikongeneration
Bred portfölj tillgänglig
Fördelar
Standard pinout tillåter drop-in ersättning
Högströms bärkapacitetspaket
Branschstandardkvalifikationsnivå
Hög prestanda i lågfrekvensapplikationer
Ökad effekttäthet
Ger designers flexibilitet när det gäller att välja den mest optimala enheten för deras applikation
Parameter
| Parametrar | IRFB4110 |
| Budgetpris €/1k | 1,99 |
| ID (@25°C) max | 180 A |
| Montering | THT |
| Driftstemperatur min max | -55 °C 175 °C |
| Ptot max | 370 W |
| Paket | TO-220 |
| Polaritet | N |
| QG (typ @10V) | 150 nC |
| Qgd | 43 nC |
| RDS (på) (@10V) max | 4,5 mΩ |
| RthJC max | 0,4 K/W |
| Tj max | 175°C |
| VDS max | 100 V |
| VGS(th) min max | 3 V 2 V 4 V |
| VGS max | 20 V |
Diskreta halvledarprodukter
Diskreta halvledarprodukter inkluderar individuella transistorer, dioder och tyristorer, såväl som små arrayer av sådana sammansatta av två, tre, fyra eller något annat litet antal liknande enheter inom ett enda paket.De används oftast för att konstruera kretsar med betydande spännings- eller strömspänningar, eller för att realisera mycket grundläggande kretsfunktioner.
