Ny original integrerad krets BSP772T IP5306 BSZ040N06LS5 TLE7270-2D IC-chip
BSZ040N06LS5
Infineons OptiMOS™ 5 power MOSFETs logiknivå är mycket lämplig för trådlös laddning, adapter och telekomapplikationer.Enheternas låga grindladdning (Q g) minskar kopplingsförlusterna utan att kompromissa med ledningsförlusterna.De förbättrade värdesiffrorna tillåter operationer vid höga omkopplingsfrekvenser.Vidare tillhandahåller den logiska nivådrivningen en låg grindtröskelhållspänning (V GS(th)) vilket gör att MOSFET:erna kan drivas vid 5V och direkt från mikrokontroller.
Sammanfattning av funktioner
Low R DS(on) i liten förpackning
Låg grindladdning
Lägre utladdning
Kompatibilitet med logisk nivå
Fördelar
Konstruktioner med högre effekttäthet
Högre kopplingsfrekvens
Reducerat antal delar varhelst 5V-försörjning är tillgänglig
Drivs direkt från mikrokontroller (långsam omkoppling)
Systemkostnadsreduktion
Parametrar
| Parametrar | BSZ040N06LS5 |
| Budgetpris €/1k | 0,56 |
| Ciss | 2400 pF |
| Coss | 500 pF |
| ID (@25°C) max | 101 A |
| IDpuls max | 404 A |
| Montering | SMD |
| Driftstemperatur min max | -55 °C 150 °C |
| Ptot max | 69 W |
| Paket | PQFN 3,3 x 3,3 |
| Pin Count | 8 stift |
| Polaritet | N |
| QG (typ @4,5V) | 18 nC |
| Qgd | 5,3 nC |
| RDS (på) (@4,5V LL) max | 5,6 mΩ |
| RDS (på) (@4,5V) max | 5,6 mΩ |
| RDS (på) (@10V) max | 4 mΩ |
| Rth max | 1,8 K/W |
| RthJA max | 62 K/W |
| RthJC max | 1,8 K/W |
| VDS max | 60 V |
| VGS(th) min max | 1,7 V 1,1 V 2,3 V |
